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R&D

Micro Bump

Fine Pitch micro bump (Cu/SnAg)
Development status
2017년 1분기, 10um pitch의 Micro bump 개발 완료
Developed device design
Max bump height : 6~10um
Min. bump pitch : 10um
Min. bump width : 6um
Min. bump to bump space : 4um

Thick RDL

10um standard RDL
20um Thick RDL
Development status
2017년 7월, 20um RDL 완료 및 현 30um RDL 개발 중 (2017년 말 완료 예정)
Materials Information
Polymeric Re-passivation : PI
RDL (Redistribution layer) : Electroplated Copper up to 20um
UBM : Electroplated Copper
Ball
Ball drop : SAC105, 305, 405 and LF35
Electroplated : Lead free solder (SnAg1.8%)
Backside coating film : LC2850

Thin Wafer

Wafer thinning → high wafer warp
Less than 100um
Wafer thinning
without any wafer
handling issue
Development status
2017년 말, 재료 BSP(Back side Protection)가 적용된 웨이퍼 두께를 100um 이하로 줄이는 capability 개발 예정