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Thick Cu

Thick Cu

Thick Cu 공정은 별도의 하부 폴리머 보호층 없이 fab passivation에 바로 형성됩니다. Thick Cu 공정은 구리의 낮은 저항으로 인해 일반적인
알루미늄 배선에 비해 높은 전류효율을 제공하며, 두꺼운 구리가 본딩 공정에서 상당한 응력(stress)를 흡수할 수 있어 넓은 bonding process window를 제공할 뿐 아니라 Au, pure, Pd/Cu등 다양한 wire을 사용하여 crack 우려 없이 안정적으로 BOAC 공정이 가능합니다.
* BOAC : a layout technology called “Bond Over Active Circuit”
Application
Wire bonding package for Power Management IC and Memory
Process capability
8inch wafer available
Thick Cu option
Direct thick Cu on FAB passivation
Thick Cu with Top polymeric re-passivation
Thick Cu height : Cu 5um or 10um
UBM : Sputtered TiW/Cu
Stack-up material : Electroplated Cu/Ni/Au
Cu for Rs reduction
Ni for diffusion barrier
Au for wire bonding (Au, Pure Cu and Pd coated Cu wire all available for wire boning)
Thick Cu Line and Space : Line 15um, Space 15um
Top polymeric re-passivation : Epoxy based dielectric (Low temperature cure)