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Cu Pillar Bump

Cu Pillar Bump

반도체 소자의 고성능화, 고밀도화가 급격히 진행됨에 따라 칩의 I/O 밀도가 급속히 증가하며 있으며, 그에 상응하여 요구되는 범프의 pitch도
지속적으로 감소하고 있습니다. Cu pillar는 이러한 fine pitch 요구에 대응하기 위해 개발된 bumping 기술로, 전통적인 Solder bump의 경우 대응
가능한 최소 pitch가 150um 수준인데 반해 Cu pillar는 40um 이하 피치의 고밀도 패키지 구현이 가능하며, Solder bump 대비 우수한 열방출
성능과 Electromigration 특성으로 인해 이미 Cu pillar는 다양한 패키지에 이용되고 있으며 앞으로 그 활용도는 더욱 높아질 전망입니다
Application
fcBGA and fcQFN package for RFIC, BB & AP processor, Power Amplifiers, NAND Flash, WiFi module..
Process capability
8inch and 12inch wafer available.
Cu pillar option
Direct CuP (1M)
CuP on polymeric re-passivation (1P1M)
CuP with electroplated Cu RDL (2P2M)
Cu pillar pitch and Total height
Pitch(min)
50um pitch for 8inch
40um pitch for 12inch
Total height : 30 ~ 90um (depending on Cu pillar diameter and Pitch)
Cu Pillar material stack-up option
Cu post / Solder cap
Cu post / Ni barrier metal / Solder Cap (Provide better kirkendall void performance)