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Au Bump

Au Bump

用金子凸块处理的晶元利用于安装在普通消费品的TCP(Tape Carrier Package), COG (Chip on Glass), COF(Chip on Film)封装。

这一技术为了取代wire bond技术而诞生。用金子凸块的晶元通过热压缩完成贴附与封装表面。

由于对具备高强I/O、灵活的连接性与轻薄优势的封装需求与日俱增,以金子凸块处理芯片将会成为利用于携带式产品中的最佳选择。
Application
COF and COG package for TV, Monitor, Notebook DDIC, Mobile, Tablet, Automotive DIC..
Process capability
8inch and 12inch wafer available
Au Bumping process
Various hardness available from 50Hv up to 90Hv
Low level : 50±20Hv
Middle Level : 75±20Hv
High level : 90 ±20Hv
Bump height (typical) : 8 to 16um
Height uniformity
WID : ≤ 2um
WIW : ± 2um
Bump pitch (min) : Straight 21um, Staggered 13um
BOA(bump on active circuit) structure qualified
2D, 3D AOI